> [!Info]- Legenda $I_C$ è la corrente di collettore $I_B$ la corrente di base $\beta$ il guadagno di corrente. $I_D$ è la corrente di drain $\mu_n$ la mobilità degli elettroni $C_{ox}$ la capacità per unità di area dell’ossido $W$ e $L$ le dimensioni del canale $V_{GS}$ la tensione gate-source $V_{th}$ la tensione di soglia --- I transistor sono dispositivi elettronici utilizzati per amplificare, commutare e modulare segnali elettrici. Essi rappresentano l’elemento base dei circuiti integrati e sono alla base del funzionamento di computer, sistemi di comunicazione e dispositivi di potenza. Le due principali categorie di transistor sono: - **Transistor bipolari a giunzione (BJT)**: dispositivi a tre terminali (emettitore, base, collettore) in cui la corrente di uscita è controllata dalla corrente di ingresso. La relazione fondamentale è: $ I_C = \beta I_B $ - **Transistor ad effetto di campo (FET)**: dispositivi in cui la corrente tra source e drain è controllata dalla tensione applicata al gate. Per un MOSFET in regione attiva: $ I_D = \frac{1}{2} \mu_n C_{ox} \frac{W}{L} (V_{GS} - V_{th})^2 $ #### Visuals --- <div class="iframe-container"> <iframe width="560" height="315" src="https://www.youtube.com/embed/J4oO7PT_nzQ?si=puP5JkF-DFpogGeB" title="YouTube video player" frameborder="0" allow="accelerometer; autoplay; clipboard-write; encrypted-media; gyroscope; picture-in-picture; web-share" referrerpolicy="strict-origin-when-cross-origin" allowfullscreen></iframe> </div> [Transistors explained](https://youtu.be/J4oO7PT_nzQ?si=NfbOu9xpS89a1w60) ### Collegamenti --- ![[Footer]] ![[Licenza dei contenuti]]